IT之家 1 月 26 日音讯，泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣告，其干式光刻胶技能成功经过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制造）中完成 28nm 距离的直接图画化，
现在在先进制程范畴常用的光刻胶为根据化学扩大原理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是由小于 0.5nm 的金属有机微粒单元气相堆积而来。
泛林声称其干式光刻胶具有更优异的光子捕获才能，一起光刻胶层的厚度也愈加简单调控。在具体表现方面，这一新式光刻胶可战胜 EUV 光刻范畴曝光剂量和缺点率这对主要矛盾，一起较湿化学光刻胶更为环保。
泛林干式光刻胶在后道工艺中的图画化才能现在已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上得到了验证，未来还可扩展至逐渐投入到正常的运用中的 0.55 (High) NA EUV 光刻渠道上。
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